Connect
To Top
Место для рекламы

SK Hynix готовит чипы DDR4 плотностью 16 Гбит

Один из ведущих производителей памяти DRAM и NAND, компания SK Hynix на днях добавила в свой каталог продукции 16-гигабитные (2 ГБ) микросхемы памяти DDR4. На практике это означает возможность двукратного увеличения ёмкости на один модуль, поскольку до этого максимальная плотность одной микросхемы DDR4 составляла 8 Гбит.

SK Hynix представила 16-Гбитные чипы DDR4

Отныне производитель может создавать двухранговые 64-гигабайтные модули для настольных и серверных платформ, а также четырехранговые 128-гигабайтные и восьмиранговые 256-гигабайтные модули LRDIMM для серверов. Например, максимальный объём ОЗУ для высокопроизводительных серверных платформ Intel и AMD теперь составит 4 ТБ. Вторым преимуществом более ёмких микросхем является создание модулей ОЗУ текущего объёма но с меньшим количеством микросхем и более низким энергопотреблением.

Новые 16-гигабитные чипы организованы как 1Gx16 или 2Gx8 и поставляются в исполнении FBGA96 и FBGA78 соответственно. Напряжение питания составляет 1,2 В. На данный момент доступны чипы DDR4-2133 с таймингами CL15 и DDR4-2400 с CL17. В третьем квартале компания планирует расширить ассортимент продукции микросхемами DDR4-2666 с таймингами CL19.

Источник

Поделиться в соц. сетях

Опубликовать в Google Buzz
Опубликовать в Google Plus
Опубликовать в LiveJournal
Опубликовать в Мой Мир
Опубликовать в Одноклассники

You must be logged in to post a comment Login

Leave a Reply

Войти с помощью: 

More in Статьи, обзоры

Копирование материалов только при наличии ссылки на сайт © transcendrussia.ru 2010 - 2018