Connect
To Top
Место для рекламы

Samsung приступила к массовому производству 10-нм чипов DDR4 DRAM второго поколения

Корпорация Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти DDR4 DRAM, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm) второго поколения. Чипы обладают емкостью 8 Гбит (1 ГБ) и предназначены для использования в широком спектре вычислительных систем.

Как утверждают представители компании, новые микросхемы памяти обеспечивают на 10% лучшую производительность и на 15% лучшую энергоэффективность по сравнению с 8-гигабитными чипами 10-нм класса первого поколения, при этом обладая меньшими размерами. Скорость передачи данных через один контакт у новых чипов составляет 3600 Мбит/с, тогда как у предшественников эта цифра не превышала 3200 Мбит/с. В итоге общее превосходство по показателю производительность на ватт способно достигать 30%.

микросхемы DDR4 DRAM 10-нм класса (1y-nm) второго поколения

Для достижения таких показателей инженеры Samsung применили новую проприетарную технологию проектирования схем. Кроме того, в чипах второго поколения более точно определяются данные для каждой ячейки, а специальная воздушная прослойка вокруг так называемых битовых линий (bit lines) значительно уменьшают паразитную ёмкость.

Ну и наконец, в Samsung обещают не только наращивать выпуск микросхем памяти DDR4 DRAM второго поколения, но и расширить производство чипов первого поколения для удовлетворения постоянно растущего мирового спроса на динамическую память с произвольным доступом.

Источник

Поделиться в соц. сетях

Опубликовать в Google Buzz
Опубликовать в Google Plus
Опубликовать в LiveJournal
Опубликовать в Мой Мир
Опубликовать в Одноклассники

You must be logged in to post a comment Login

Leave a Reply

Войти с помощью: 

More in Статьи, обзоры

Копирование материалов только при наличии ссылки на сайт © transcendrussia.ru 2010 - 2017